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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
52
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17500
17000
Por volta de 1.03 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
52
Velocidade de leitura, GB/s
9.1
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17500
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2090
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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