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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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