RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB против Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link