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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
2422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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