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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
36
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
36
Velocità di lettura, GB/s
8.6
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
1878
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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