RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
85
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
85
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1838
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link