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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
77
85
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
85
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1838
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
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