RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
77
85
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
85
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1838
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link