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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
85
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
85
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1838
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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