RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
37
Velocità di lettura, GB/s
8.6
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
2458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link