RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link