Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 37
    Intorno 24% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.7 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.4 left arrow 15.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 12.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2329 left arrow 2971
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RAM 1
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