RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link