RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,120.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,879.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,120.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
840
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link