RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,120.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,879.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,120.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
840
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link