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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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