RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link