RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2284
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link