RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
65
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link