RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.4
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link