Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 73

Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.6 7.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.1 12.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2329 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns