RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 73
    Около 62% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.1 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 1724

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
модули RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
модули RAM