RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
104
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
5.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link