RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
104
Autour de -131% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link