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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
104
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
5.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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