RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
104
Rund um -131% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link