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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
29
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
20
Velocità di lettura, GB/s
12.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
3471
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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