RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
29
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
20
Velocità di lettura, GB/s
12.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
3471
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link