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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
29
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
3471
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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