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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
12.1
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
3936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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