Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 32

Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.4 9.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 8.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2423 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns