RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link