Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Kingston 9905624-025.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 37

Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2841

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM