RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
62
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
29
Velocità di lettura, GB/s
7.4
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link