RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
62
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
28
Velocità di lettura, GB/s
7.4
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3835
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link