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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
62
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
33
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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