RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
62
Intorno -158% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
24
Velocità di lettura, GB/s
7.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link