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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
62
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.5
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
32
Velocità di lettura, GB/s
7.4
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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