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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
62
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
23
Velocità di lettura, GB/s
7.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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