Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 67

Intorno -158% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.9 6.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.5 3.4

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1076 2432

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns