Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 67

Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.9 6.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.5 3.4

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1076 2432

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns