RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 67

Rund um -158% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.9 6.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.5 3.4

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1076 2432

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns