Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB

Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 90

Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.2 2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

16.9 1,140.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 5300

Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

436 3844

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns