RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
90
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
3844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link