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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
65
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
33
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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