RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
65
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
24
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link