RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
29
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3787
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link