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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
65
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
30
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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