RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
65
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
24
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link