RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
65
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
30
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3431
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link