RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
65
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
38
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link