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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2354
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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