RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
65
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
27
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link